3D NAND可以説是一個相當成功的技術，現在的NAND閃存基本都是3D NAND，那麼同時存儲芯片的DRAM能不能複製這一技術呢？NEO半導體就真這樣幹了，他們宣佈推出3D X-DRAM，他們對這項專利技術雄心勃勃，旨在取代整個2D DRAM市場。

3D X-DRAM是首款基於無電容器浮體單元技術的類3D NAND DRAM單元結構，它可以使用3D NAND的工藝製造，並且只需要一個掩模來定義位線孔並在孔內形成單元結構，這種結構簡化了工藝步驟，提供一種高速、高密度、低成本、高良率的解決方案。

根據NEO半導體估計，3D X-DRAM技術可以生產230層堆疊128Gbit的DRAM芯片，存儲密度是現在DRAM芯片的8倍，而且預計在2030到2035年間就能實現1Tb的容量，也就是説單根雙面的內存就能實現2TB的容量，服務器用內存使用32顆芯片就能實現單根4TB的容量，未來AI應用是驅動高性能和大容量存儲器半導體的增長點，3D X-DRAM瞄準的就是這一點。

Network Storage Advisors總裁Jay Kramer表示：“從2D架構發展到3D架構為NAND閃存帶來了引人注目且極具價值的優勢，因此在整個行業範圍內實現DRAM的類似發展是非常可取的。”目前NEO半導體將尋求把3D X-DRAM專利技術授權給DRAM製造廠商，比如三星、SK海力士和美光等。