近日，三星半導體在KAIST（韓國科學技術研究院）舉辦了一場講座，三星電子設備解決方案業務部門負責人慶桂顯介紹了三星半導體追趕競爭對手台積電（TSMC）的願景。

據Sammobile 報道 ，慶桂顯首先承認了三星在代工技術上落後於台積電，4nm工藝技術上落後了約兩年，而3nm工藝技術上落後了約一年。不過慶桂顯認為三星現在有一項優勢，那就是更早地採用GAA架構晶體管技術，縮小了與台積電之間的距離，隨着時間的推移，三星可以在五年內超越台積電。

三星在去年6月，宣佈其位於韓國的華城工廠開始生產3nm芯片，成為了全球唯一一家採用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架構晶體管技術，提供3nm工藝代工服務的代工企業。與三星不同的是，台積電在3nm工藝上仍使用傳統的FinFET（鰭式場效應晶體管），要等到2nm工藝才引入新的晶體管技術。

最近有 報道 稱，三星的3nm工藝量產後的良品率已提升至60%到70%之間，吸引了不少客户的關注。慶桂顯稱，客户對3nm GAA工藝的反應很好，預計推進到2nm工藝時，與台積電之間的競爭態勢就會發生改變。

此外，慶桂顯表示，存儲半導體在開發人工智能服務器方面會變得更加重要，甚至超過英偉達的GPU，三星將“確保以存儲器半導體為中心的超級計算機在2028年問世”。