英特爾在2021年7月的“英特爾加速創新：製程工藝和封裝技術線上發佈會”上， 展示 了一系列底層技術創新，這些技術將驅動英特爾到2025年乃至更遠未來的新產品開發。其中包括了PowerVia技術，這是英特爾獨有的、業界首個背面電能傳輸網絡（PDN），通過消除晶圓正面供電佈線需求來優化信號傳輸，原計劃在Intel 20A製程節點引入。

據TomsHardware 報道 ，2023年VLSI技術和電路研討會將於2023年6月11至16日在日本京都舉行，英特爾將在這次活動上披露PowerVia技術的研究成果，展示一款特別定製的芯片。其採用了背面供電，配備了未命名的能效核，以Intel 4工藝製造，以便向那些有興趣使用英特爾代工服務（IFS）的潛在客户展示新技術的有點。作為實驗性的芯片，應該不會量產使用的。

據瞭解，這顆特殊的芯片基於的能效核可能是新的架構，推測為Crestmont架構，利用PowerVia技術讓核心大部分區域實現了超過90%的標準單元利用率，頻率也提高了5%以上。儘管不能評估其實際工作負載中的表現，但英特爾稱測試芯片達到了預期效果，有着更高功率密度，似乎説明了新技術的應用非常有效。

背面供電設計助於解決後端線路（BEOL）中電阻增加等問題，這可以提高晶體管的性能並降低功耗，同時也消除了數據和電源連接之間的潛在干擾，另外還可以減少面積，可能會讓晶體管密度更高。除了英特爾以外，三星也 計劃 使用一種稱為“BSPDN”的技術，用於2nm芯片上。