三星在去年6月 量產 了SF3E（3nm GAA），這也是三星首次實現GAA“多橋-通道場效應晶體管（MBCFET）”應用，打破了FinFET原有的性能限制，引入全新的GAA（Gate-All-Around）架構晶體管技術，通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時還通過增加驅動電流增強芯片性能。

2023年VLSI技術和電路研討會將於2023年6月11至16日在日本京都舉行，根據官方的 預告 ，三星將介紹名為SF3（3GAP）的第二代3nm工藝技術，將使用“第二代多橋-通道場效應晶體管（MBCFET）”，在原有的SF3E基礎上做進一步的優化。

三星表示，與SF4（4LPP，4nm級低功耗工藝）相比，SF3在相同功率和晶體管數量下的性能提高了22%，在相同頻率和複雜性下的功耗降低了34%，邏輯面積縮小了21%。不過三星並沒有將其SF3與SF3E進行比較，也沒有關於SRAM和模擬電路縮放方面的資料。

與FinFET相比，GAA的主要優點之一是泄漏電流減少，另外通道厚度可以調整，以提高性能或降低功耗。三星表示，新的SF3提供了更大的設計靈活性，使用不同寬度的MBCFET器件。暫時不清楚現有的SF3E是否缺乏GAA架構晶體管最關鍵的技術之一，但三星的介紹似乎暗示了這一點。

憑藉SF3，三星有機會在2024年與台積電（TSMC）的先進工藝展開競爭。最近三星 承認 其半導體制造工藝上落後於台積電，不過認為更早地採用GAA架構晶體管技術是一項優勢，希望五年內可以實現超越。

三星還在改進其4nm工藝，目標是通過SF4P（4LPP+）縮小與競爭對手之間的差距，預計會在今年晚些時候量產。此外，三星還計劃推出用於高性能CPU和GPU的SF4X（4HPC），不過在幾乎同一時間，台積電也會帶來名為N3P的增強型3nm工藝。