今年年初，美光 推出 了符合DDR5-5200和DDR5-5600標準的第二代DDR5內存模塊，除了傳統的8GB、16GB和32GB以外，還有24GB和48GB提供給用户選擇，支持XMP 3.0和EXPO技術，使用1α工藝節點進行批量生產。這也是市場上首批24GB和48GB內存模塊，從側面證明了美光在存儲領域的實力。

據TomsHardware 報道 ，美光希望繼續保持在DRAM市場的領先優勢，已經計劃在2024年上半年量產32Gb DDR5芯片，為打造1TB大容量內存模塊奠定基礎。儘管美光沒有透露新款DRAM芯片的數據傳輸速率，不過考慮到這是第三代DDR5內存模塊，頻率應該會進一步提升。

32Gb DDR5芯片將採用美光去年推出的1β（1-beta）工藝節點生產。這是目前美光在存儲芯片上最先進的半導體工藝，有可能是其最後一個沒有采用極紫外（EUV）光刻技術的製造工藝，此前已經向特定的智能手機製造商和芯片組合作伙伴運送了DRAM芯片樣品。

與行業內很多企業不同，美光不打算在短期內全面使用極紫外（EUV）光刻技術來生產存儲芯片，而是繼續使用深紫外（DUV）光刻技術，同時在1β工藝節點上使用了其第二代HKMG技術，美光稱，新工藝節點的能效提高約15%，位密度提高了35%以上。

32Gb DDR5芯片首先會用於數據中心的內存模塊，這是對內存容量需求最為迫切的地方。據瞭解，美光明年首先會提供128GB的DDR5內存模塊，然後再推出192GB和256GB的產品。512GB和1TBDDR5內存模塊暫時還沒有安排，不過有可能提前向特定客户提供。