在今年已經搞出1億像素傳感器的三星並不打算停止他們刷高像素的步伐，在最近的IEDM 2019峯會上面，三星的一支團隊介紹了他們正在將14nm FinFET工藝引入到未來的1.44億像素傳感器上。

目前相機中常見的CMOS感光傳感器就是一種典型的半導體芯片，它可以接受光線並將其轉換為電信號，一般在相機的CMOS元件上還會有內建的ADC，用於將電信號轉換成數字信號，然後數字信號被送入其他處理器進行處理。因為它本質上就是一種半導體元件，所以自然就會受到半導體工藝製程的影響。不過它並不像擁有更高密度的CPU等複雜元件那樣需要很新的製程工藝，目前你還能在CMOS傳感器上面看到40nm、60nm等“老舊”的工藝。但是在感光層之下的信號處理器就不一樣了，由於這裏是幫助處理圖像的地方，與各種處理器一樣，它對製程工藝有一定的敏感度，在新工藝下它可以做到更低的工作功耗以節省電能。

圖片來自於 GSMArena ，下同

不過最大的問題還是電壓，CMOS傳感器工作時需要一個較高的電壓，這個電壓值雖然在我們看來不是很高，但對於1Xnm製程下的半導體元件來説已經算是非常高的了，不過三星似乎是解決了這個電壓難題，在原本用於SoC生產的14nm工藝基礎上新開發了一種適用於CMOS傳感器的工藝。

在新的工藝製程下面，傳感器的整體功耗下降了非常多，尤其是數字處理這個對工藝更加敏感的部分，在1.44億像素下面進行10fps的連拍時它最高可以節約42%的電能，對於功耗敏感的移動端來説是非常有意義的。