此前有 報道 稱，高通出於對台積電（TSMC）3nm產能有限的考慮，未來驍龍8平台或採用雙代工廠策略，分別採用台積電和三星的3nm工藝。高通原打算在2024年開始執行該計劃，第四代驍龍8一方面採用台積電N3E工藝，另一方面供應Galaxy系列智能手機的版本採用三星3GAP（SF3）工藝。

據TrendForce 報道 ，由於三星對明年3nm產能擴張計劃趨於保守，加上良品率並不穩定，高通已正式取消了第四代驍龍8採用三星代工的計劃，雙代工廠策略將推遲至2025年，未來一年仍完全依賴台積電。

三星在去年6月量產了SF3E（3nm GAA）工藝，這是其首次引入全新的GAA（Gate-All-Around）架構晶體管技術，打破了FinFET原有的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時還通過增加驅動電流增強芯片性能。明年三星將帶來SF3（3GAP），這是其第二代3nm工藝技術，使用了“第二代多橋-通道場效應晶體管（MBCFET）”，在原有的SF3E基礎上做了進一步的優化，高通原本有望成為首個採用新工藝的客户。

目前台積電3nm月產能大概在每月6至7萬片晶圓，預計明年底會提升至每月10萬片晶圓，對營收的貢獻率也由5%提高至10%。