雖然今年存儲器市場行情低迷，相當部分廠商損失慘重，不過SK海力士卻把握住了服務器市場更換DDR5內存及人工智能（AI）爆發的機會，憑藉針對性的產品線和市場策略，拿下了不少市場份額。作為英偉達高帶寬存儲器合作伙伴，SK海力士延續了HBM市場的領導地位，甚至出現了“贏家通吃”的局面。

近日SK海力士在介紹2024年存儲產品線的時候，已 確認 明年將啟動下一代HBM4的開發工作，為數據中心和人工智能產品提供動力。其實在今年第四季度裏， 三星 和 美光 就已先後確認正在開發HBM4，分別計劃在2025年和2026年發佈。

HBM類產品前後經過了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的開發，其中HBM3E是HBM3的擴展（Extended）版本，而HBM4將是第六代產品。SK海力士表示，HBM3E會在2024年進入批量生產，而啟動HBM4的開發工作標誌着HBM產品的持續發展邁出了重要的一步。

此前有 報道 稱，下一代HBM4設計會有重大的變化，內存堆棧將採用2048位接口。自2015年以來，每個HBM堆棧採用的都是1024位接口，將位寬翻倍是HBM內存技術推出後最大的變化。如果HBM4能保持現有的引腳速度，意味着帶寬將從現在HBM3E的1.15TB/s提升至2.3TB/s，提升會相當明顯。

傳聞 HBM4在堆棧的層數上也有所變化，除了首批的12層垂直堆疊，2027年還會帶來16層垂直堆疊。同時HBM還會往更為定製化的方向發展，不僅排列在SoC主芯片旁邊，部分還會轉向堆棧在SoC主芯片之上。