中國本身有一些相當有競爭力的半導體生產商，但這些公司都使用在其他國家開發和製造的生產設備，如日本、荷蘭和美國。

據 TomsHardware報道 ，上海微電子設備公司(SMEE)據説有望在2021年第四季度之前交付其第二代深紫外(DUV)光刻機。該設備可以使用28nm工藝技術生產芯片，依靠的是國內和日本生產的組件，並不依賴美國製造的任何設備。在現階段中美貿易戰持續進行的情況下，這一點越來越重要。

作為中國半導體產業自給自足的多方面計劃的一部分，國內不僅鼓勵芯片開發和本地製造，而且還支持半導體生產設備的製造。目前上海微電子設備公司官方網站上最高端的光刻機為SMEE SSA600/20，是一種浸入式深紫外光刻工具，配備了193nm的氟化氬（ArF）激光器。英特爾和台積電等公司早在2004年就開始使用浸入式DUV光刻技術，因此SSA600/200很難説是一款先進的設備。

SSA600/20機器的後繼者將繼續使用ArF光源，根據Verdict的説法，那款即將推出的光刻機有望可以使用28nm工藝技術製造芯片。顯然，這系列光刻機可用於40nm級，以及55nm/65nm製造工藝，這些工藝在多種應用中相當受歡迎。到2023年，SMEE希望生產出足以滿足20nm節點的光刻機，不過即將推出的光刻機某些部件將使用日本製造的零件，但其中沒有使用任何來自美國的成分。

台積電早在2011年就採用了28nm工藝技術，使用的是ASML的光刻機，因此即使SMEE在2021年第四季度出貨製造28nm芯片的設備時，也比全球第一大光刻工具供應商落後至少10年。不過目前28nm工藝技術的應用相當廣泛，在未來很多年內，28nm工藝技術還將繼續用於不需要FinFET晶體管的芯片。例如，電視機製造商康佳集團上個月披露，計劃與當地政府在江西省南昌市建設一個價值45億美元的半導體產業園。電視機和消費類採用的電子部件幾乎不需要領先的工藝技術，因此28nm節點工藝對它們來説可能是恰到好處的。因此，上海微電子即將推出的DUV工具有望成為客户歡迎的拳頭產品。

與此同時，那些已經採用其28nm工藝技術，使用ASML和尼康光刻機的芯片製造商，很可能不得不重新設計其節點，以使用上海微電子的新設備。因此，雖然距離國內最先進的光刻機還有一年左右的時間，但要被本土半導體行業廣泛採用還需要一定的時間。

SMEE的新一代ArF DUV光刻機無疑是國內在半導體行業實現自給自足的一步。同時，為了不依賴國外的技術，中國還有一個關鍵因素迫切需要解決和發展。目前所有對現代芯片開發至關重要的先進電子設計自動化(EDA)開發工具都來自美國的公司。在國內公司能夠設計出與Cadence、Mentor Graphics或Synopsys公司的產品具備有競爭力之前，國內開發的幾乎所有芯片都將使用美國的軟件進行設計。