長鑫存儲計劃生產HBM內存,填補國產存儲器產品空缺

近年來高帶寬內存的需求急劇上升,尤其是隨着人工智能(AI)熱潮的到來,讓這一趨勢愈加明顯。三星、SK海力士和美光是HBM市場的三大巨頭,目前都在開發新產品,特別是HBM4等下一代技術受到了業界的極大關注,預計未來將佔據主導地位。

據相關媒體 報道 ,長鑫存儲(CXMT)計劃生產HBM內存,正在採購必要的設備,已經獲得用於HBM存儲器組裝和測試的裝置。

目前市場上主流的HBM3是8層或12層垂直堆疊,中間通過硅通孔(TSV)互聯,然後放在一個基本邏輯芯片上,採用1024位接口連接。雖然看起來很簡單,但實際上並非如此,而且製造HBM是一項複雜的任務。其生產的設備與傳統存儲器的設備有着根本的不同,而且生產過程中要對其進行測試,然後封裝,最後再測試整個堆棧。其中需要大量的工具和專業知識,但HBM產品在帶寬和能效方面勝於市面上其他所有類型的內存。

長鑫存儲已經在合肥附近運營一座DRAM晶圓廠,並籌集資金建造第二座,將引入更先進的工藝技術,用於製造和封裝HBM存儲器。此外,長鑫存儲尚未開發自己的HBM生產和封裝技術,也不清楚是哪類型的HBM,預計未來一到兩年內還不能看到相關的產品。

國內一些芯片廠商還希望將HBM與邏輯芯片集成在一起,類似於台積電的CoWoS封裝,這也迫使中芯國際需要開發更先進的封裝技術。