三星 宣佈 ，將與Arm展開合作，提供基於最新GAA（Gate-All-Around）架構晶體管技術，優化下一代Arm Cortex-X CPU，進一步提高了性能和效率，將用户體驗提升到一個新的水平。

三星表示，該計劃建立在多年來數百萬台搭載Arm CPU知識產權（IP）的數百萬台設備的合作基礎上，這些芯片採用了三星提供的各種工藝節點。三星確信與Arm之間的一系列公告和計劃將奠定創新的基礎，雙方制定了大膽的計劃，為下一代數據中心和基礎設施定製芯片提供2nm GAA工藝，以及突破性的人工智能（AI）小芯片解決方案，將徹底改變未來生成人工智能移動計算市場。

三星在2022年6月量產了SF3E（3nm GAA），引入全新的GAA架構晶體管技術。2024年計劃帶來名為SF3（3GAP）的第二代3nm工藝技術，將使用“第二代多橋-通道場效應晶體管（MBCFET）”，在原有的SF3E基礎上做進一步的優化，之後還會有性能增強型的SF3P（3GAP+），更適合製造高性能芯片。到了2025年，三星將會開始大規模量產SF2（2nm）工藝。

GAA技術允許在之前的FinFET外進一步擴展器件，通過降低電源電壓水平來提高電源效率，並通過更高的驅動電流能力增強性能，採用納米片結構的GAA實現方法提供了最大的設計靈活性和可擴展性。