三星本週二（2/27）發表了HBM3E 12H，這是該公司首個12堆疊的HBM3E DRAM，它提供高達1,280 GB/s的頻寬，以及36GB的容量，以滿足AI運算的需求，目前已開始送樣，預計於今年上半年量產。 HBM的全名為高頻寬記憶體（High Bandwidth Memory），採用垂直的3D堆疊技術，以將更多的記憶體晶片封裝到更小的空間中，縮短資料在記憶體與處理器之間的傳輸距離，適用於要求資料傳輸速度的高效能運算應用。