據The Elec 報道 ，三星正在考慮在其下一代DRAM中使用應用模壓填充（MUF）技術。三星最近對3D堆棧（3DS）內存進行了大規模的MR MUF工藝測試，結果顯示與現有的TC NCF（熱壓非導電膜）相比，吞吐量有所提高，但物理特性卻有所下降。

傳聞三星芯片部分的一位高級主管在去年下令對MUF技術進行測試，得出的結論是MUF不適用於高帶寬內存，也就是HBM類產品，最為合適的對象是3DS RDIMM。一般情況下，3DS RDIMM採用了硅通孔（TSV）技術製造，主要用於服務器產品。硅通孔技術意思就是在Wafer或者Die上穿出數千個小孔，實現硅片堆疊的垂直互連通道，而MUF則是上下連接，縮小相互之間間隙的材料，有助於緊密凝固和結合各種垂直堆疊的半導體。

MUF是一種環氧樹脂模塑化合物，在SK海力士成功將其應用於HBM2E生產後，受到了芯片行業的關注。SK海力士使用的這種化合物是與Namics合作生產的。三星計劃與SDI合作開發自己的MUF化合物，而且已經從日本訂購了MUF所需要的相關設備，看起來要推進到下一階段，以實現更先進的封裝工藝，並提高生產效率。

儘管如此，目前三星將繼續在HBM生產中使用TC NCF。競爭對手美光也打算這麼做， MUF材料被認為在避免晶圓翹曲方面更有優勢。