三星在2022年6月末宣佈，其位於韓國的華城工廠開始生產3nm芯片，採用全新GAA（Gate-All-Around）架構晶體管技術。不過在量產以後，三星的3nm GAA工藝的良品率一直都不是那麼理想。

近日有網友 透露 ，三星初期3nm工藝的良品率最初徘徊在10%至20%之間，經過多方努力後，最近提升了兩倍以上，但是仍然不能與競爭對手台積電（TSMC）的3nm工藝相比，良品率依然處於落後。

去年就曾傳出三星3nm工藝良品率提升的消息，指出可以提升至60%的水平，與70%的及格線始終有一段距離。事實證明，這種説法可能還是過於樂觀，畢竟包括英偉達在內的眾多芯片設計公司都前去了解，表達了意向，只是最後都沒有選擇下單，至少説明良品率還是很不穩定的。三星遲遲不能提升3nm工藝的良品率，也使得高通取消了第四代驍龍8的雙代工廠計劃，至少未來一年仍完全依賴台積電，新的代工策略被迫推遲至2025年。

此前三星公佈了到2027年的製程技術路線圖，列出了2022年6月量產SF3E（3nm GAA，3GAE）以後的半導體工藝發展計劃，其中包括了SF3（3GAP）、SF3P（3GAP+）、SF4P、SF4X、SF2、SF3P、SF2P和SF1.4等。按照原計劃，今年三星將帶來第二代3nm工藝技術，也就是SF3，使用“第二代多橋-通道場效應晶體管（MBCFET）”，已經在試產。

傳聞三星對第二代3nm工藝技術期望很高，功耗、性能和麪積（PPA）指標甚至能與台積電N3P工藝相媲美，與之前的4nm FinFET工藝相比，能效和密度有着20%至30%的提升。