上個月英特爾晶圓代工（Intel Foundry） 宣佈 ，已在美國俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾半導體技術研發基地完成了業界首台High-NA EUV光刻機組裝工作。隨後開始在Fab D1X進行校準步驟，為未來工藝路線圖的生產做好準備。

據The Elec 報道 ，目前ASML每年High-NA EUV光刻機的產能大概在5到6台，今年生產的這些設備將全部運往美國的芯片製造商，而英特爾已經獲得了明年上半年之前生產的大部分High-NA EUV光刻機，這很大程度上得益於新設備出現時，英特爾選擇了搶先下單。三星和SK海力士明年也將得到High-NA EUV光刻機，預計在明年下半年。

High-NA EUV光刻機是具有高數值孔徑和每小時生產超過200片晶圓的極紫外光大批量生產系統，用於製造3nm以下的芯片。其提供了0.55數值孔徑，與此前配備0.33數值孔徑透鏡的EUV系統相比，精度會有所提高，可以實現更高分辨率的圖案化，以實現更小的晶體管特徵。此前有 報道 稱，一台High-NA EUV光刻機的價格大概為3.8億美元，是EUV（約1.83億美元）的兩倍多，ASML目前收到的訂單數量在10至20台之間。

去年末，ASML向英特爾交付了首台High-NA EUV光刻機，型號為TWINSCAN EXE:5000的系統。High-NA EUV光刻技術將在先進芯片開發和下一代處理器的生產中發揮關鍵作用，英特爾打算在Intel 14A工藝引入，最快會在2026年到來。