近年來，人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和PC一直在推動高性能DRAM產品的研發，市場對HBM類DRAM的需求也在迅速增長，各大廠商也加大了這方面的投入。雖然三星是全球最大的存儲器製造商，但在HBM產品的開發和銷售上卻落後於SK海力士，最近正加大投入，以追趕競爭對手。

據The Elec 報道 ，三星另外組建了團隊專門負責HBM4項目，從3月起將以往的HBM4工作組轉變為常設的辦公室。與此同時，現階段HBM3E的開發和量產工作則由原來的DRAM設計團隊負責。三星之所以在HBM開發上選擇採用“雙規制”策略，是為了加快HBM產品的開發進度，以便趕超競爭對手，搶奪高附加值DRAM市場。

負責HBM4開發的新團隊由三星DRAM開發副總裁Hwang Sang-joon負責，並直接向三星存儲芯片業務總裁Lee Jung-base彙報工作，內部也通過調整主要人員等手段來加強新建開發團隊的實力。上個月三星還 發表 了一篇採訪文章，介紹了目前HBM產品的開發情況，並再次重申了HBM4正在開發當中，將於2025年首次亮相。

據三星介紹，隨着硬件的多功能性變得更加重要，HBM4在設計上也會針對不用的服務應用進行優化，計劃通過統一核心芯片、多樣化封裝和基礎芯片（比如8/12/16層堆疊）來應對。為了解決功耗牆的問題，首個創新將從使用邏輯工藝的基礎芯片開始，隨後是第二個創新，從當前2.5D HBM逐步發展到3D HBM，最後預計會出現第三次創新，比如HBM-PIM，也就是具備計算功能的內存半導體技術，這點之前三星已經有過介紹。

之前還有 傳言 稱，三星打算在下一代HBM4引入針對高温熱特性優化的非導電粘合膜（NCF）組裝技術和混合鍵合（HCB）技術。