台積電打算將特殊製程產能提升50%,並推出N4e超低功耗工藝

隨着德國和日本新建晶圓廠項目的落實,以及中國大陸晶圓廠的產能擴張,台積電(TSMC)計劃到2027年,將自身的特殊製程產能提升50%。台積電不僅僅滿足於將現有生產線轉換到特殊製程,甚至還另外加建新的生產線,推動這一需求的主要原因之一,是新一代特殊製程工藝的到來。

據Anandtech 報道 ,台積電在本週舉行的技術研討會上透露,這是其長期以來首次為滿足專業技術需求專門建造生產線,接下來的四到五年裏,逐步將特殊製程產能提升到目前的1.5倍,不但擴大了製造網絡的足跡,還提高了整個晶圓廠供應鏈的彈性。

除了大家熟悉的N5和N3等為邏輯芯片服務的製程工藝外,台積電還提供了一系列的特殊製程工藝的代工服務,包括用户製造功率半導體、CMOS圖像傳感器、混合模擬I/O和超低功耗應用(比如物聯網)等。一般來説,這些特殊製程的工藝會相對落後一些,但無論採用何種底層技術,產能需求都與台積電主要的邏輯製程節點需求同步增長,而台積電也會定時重新評估,規劃特殊製程的產能。

全面擴大不同工藝的生產能力是台積電近年來的擴張目標之一,為了滿足未來對所有類型工藝技術的需求,台積電也在積極開發先進的特殊製程工藝,下一個到來的是N4e,這是基於4nm打造的超低功耗工藝,不過台積電沒有透露太多的技術細節。目前台積電最先進的同類工藝是N6e,工作電壓在0.4V至0.9V之間,未來N4e可能會降至0.4V以下。