美光、SK海力士和三星先後在去年7月底、8月中旬、以及10月初向英偉達提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品。其中美光和SK海力士的HBM3E在今年初已通過英偉達的驗證，並獲得了訂單。不過三星HBM3E尚未通過英偉達的測試，仍需要進一步驗證， 傳聞 主要卡在台積電（TSMC）的審批環節。

據相關媒體 報道 ，三星的HBM3E芯片在英偉達的驗證測試過程中似乎遇到一些重大問題，其中芯片運行過熱就是一個大問題。據瞭解，三星從去年開始，就先後提供了HBM3和HBM3E給英偉達進行驗證，但是一直沒有通過，這意味着這些問題已經存在至少六個月的時間。

有業內人士透露，三星提供的8層堆疊和12層堆疊的HBM3E芯片都有問題，因此英偉達暫時只可能在SK海力士或者美光處下單。其中SK海力士早在2022年6月左右就開始向英偉達提供HBM3，用於H100，然後從2024年3月起又開始供應HBM3E。

暫時還不清楚三星的HBM3和HBM3E芯片到底是生產問題，還是與封裝相關的問題，或者是其他問題。與SK海力士和美光相比，三星開發的時間更短一些，顯得有些匆忙。此前有消息稱，三星的HBM3E產品在製造工藝上有些許差異，而台積電基於的是SK海力士的檢測標準，因此受到的影響。

對此三星官方表示，這些屬於根據客户需求定製產品的問題，並否定了過熱的説法，稱測試正在按計劃進行。