此前有 報道 稱，三星的HBM3E芯片在英偉達的驗證測試過程中似乎遇到一些重大問題，包括芯片運行過熱和功耗過高等。三星從去年開始，就先後提供了HBM3和HBM3E給英偉達進行驗證，但是一直沒有通過。

據Business Korea 報道 ，三星向媒體發佈了一份聲明，否定了原有報道中的説法，表示“正在與各個全球合作伙伴順利進行HBM供應測試”，並強調通過持續的合作來確保產品的質量和可靠性，以便向客户提供最佳解決方案。

隨着人工智能（AI）市場的快速增長，HBM技術通過垂直堆疊多個DRAM芯片來顯著提高數據處理速度，已經變得越來越重要。由於市場對HBM產品的需求激增，使得三星、SK海力士和美光開始陷入激烈的市場爭奪戰中。儘管三星在DRAM方面一直領導市場，但是HBM產品上長期被SK海力士壓制，加上近期美光也有趕超的態勢，促使三星內部發生重大戰略轉變，包括更換部門負責人、加速項目開發進度、以及擴充產能，以更好地應對競爭壓力。

三星在上個月發佈的2024年第一季度財報中表示，8層垂直堆疊的HBM3E已經在4月量產，並計劃在第二季度內量產12層垂直堆疊的HBM3E，比原計劃裏的下半年提前了。儘管三星作出了各種努力，但是一些市場分析師仍然對三星是否能在短期內縮小與SK海力士之間的差距表示懷疑。