近期美光發佈了一系列內存和存儲產品組合，以加速人工智能（AI）的發展。其中新款的HBM3E產品備受外界關注，美光早些時候已經 宣佈 開始批量生產HBM3E，將用於英偉達H200，計劃在2024年第二季度開始發貨。

近日美光產品管理高級總監Girish Cherussery接受了媒體的 採訪 ，探討了高帶寬內存（HBM）的廣闊市場，並研究了其在當今技術領域的各種應用。Girish Cherussery稱，HBM作為行業標準的封裝內存，是一款變革性產品，以較小的尺寸，在給定容量下實現更高的帶寬和能效，很好地適應了越來越多的複雜大語言模型（LLM）對內存的需求。

目前美光提供的HBM3E產品擁有16個獨立的高頻數據通道，採用了1β（1-beta）工藝打造，封裝規格為11mm x 11mm，堆疊8層和12層的24Gb裸片，提供了24GB或36GB容量，帶寬超過1.2TB/s、引腳速度超過9.2GB/s。美光將硅通孔（TSV）增加了一倍，封裝互連縮小了25%，功耗比起競品降低了30%。美光憑藉先進CMOS技術創新，結合先進的封裝技術，提供了改善熱阻抗的結構解決方案，有助於改善立方體的整體散熱表現，加上大幅度降低的功耗，為客户提供了功耗更低、散熱效率更高的HBM3E產品。

美光還打算將1β工藝應用到其他產品上，包括LPDDR5X產品組合等，以推動了異構計算環境中系統架構的重大創新。