此前有 報道 稱，SK海力士正在準備第六代10nm級別的1cnm工藝的DRAM產品，已經制定了對應的客户認證及生產計劃，打算在2024年第三季度量產。相比於現有第五代10nm級別的1β (b) nm工藝，在同樣採用EUV光刻技術的情況下，每片晶圓可生產更多數量的芯片，並實現更高的功率效率。

據The Elec 報道 ，SK海力士打算在1cnm DRAM上採用Inpria MOR光刻膠。

SK海力士採用1cnm工藝的DRAM有5層極紫外線（EUV）層，其中一層將採用MOR技術繪製。如果SK海力士最終決定這麼做，那麼將是MOR光刻膠首次應用於DRAM量產工藝。三星也有同樣的考慮，計劃在1cnm DRAM引入Inpria MOR光刻膠，不過SK海力士在量產時間表上領先於三星。

其實早在2022年，SK海力士就與三星進行了合作，研究MOR技術。在SK海力士看來，金屬氧化物抗蝕劑將有助於提高未來DRAM性能的性能，而且還能降低成本。光刻膠在芯片生產的光刻過程中使用，會對光發生化學反應，這種特性被用來在晶圓上繪製電路圖案。

據瞭解，SK海力士將加快英特爾數據中心的存儲器產品兼容性驗證步伐，以便1cnm DDR5 DRAM量產後能夠迅速進入市場，第一時間供應給亞馬遜和微軟等主要客户。三星計劃今年底量產1cnm DRAM產品，在12月之前獲得客户驗證。