三星直到12層垂直堆疊HBM產品，一直都在使用熱壓縮（TC）鍵合技術。不過隨着HBM堆疊層數的增加，三星可能會選擇改進工藝技術，以適應新一代HBM產品的生產需要。三星在之前的一篇採訪 文章 中，再次重申了HBM4正在開發當中，將於2025年首次亮相。

據The Elec 報道 ，三星計劃生產的HBM4裏，將分為12層及16層垂直堆疊兩種，其中以16層垂直堆疊為主，打算在2026年量產。今年4月初，三星通過子公司Semes的混合鍵合設備生產了16層垂直堆疊的HBM4樣品，且運行正常。三星認為，對於16層垂直堆疊及以上的HBM來説，混合鍵合技術至關重要。

隨着堆疊層數的增加，需要縮小芯片之間的間隙，以滿足JEDEC的規範要求，這非常具有挑戰性。傳聞JEDEC將12層及16層垂直堆疊的HBM4高度限制在775微米，這意味着三星需要在這高度內放入17塊芯片，包括一塊基座芯片和16塊存儲芯片。目前三星使用的是TC NCF技術，需要高温高壓將材料固化再熔化，然後進行清洗。按照目前的情況來看，12層垂直堆疊裏已經逼近極限，引入混合鍵合技術可以縮小芯片之間的間隙，滿足16層垂直堆疊HBM產品的生產需要。

與三星不同，SK海力士採用的是MR-RUF技術，將半導體芯片附着在電路上，使用EMC（液態環氧樹脂模塑料）填充芯片之間或芯片與凸塊之間的間隙。SK海力士計劃2026年開始量產16層垂直堆疊的HBM4，目前正在研究採用MR-MUF和混合鍵合技術，但暫時良品率還不高。SK海力士認為混合鍵合技術有可能在不超過775微米的情況下，實現20層以上的堆疊。