近日，西部數據在投資者活動上介紹了BiCS8 2Tb QLC NAND閃存，這是目前業界最高密度的閃存芯片，將打造更快、更大、功耗更低的SSD。其 採用 了218層的BiCS8 FLASH 3D閃存技術，非常地小巧，可以放在指尖上。

據TomsHardware 報道 ，西部數據分享了BiCS8 2Tb QLC NAND閃存大量比較性能數據，稱與競爭對手的閃存產品相比，功耗、存儲密度和I/O性能的表現都得到了提升。一個閃存顆粒是由多個NAND閃存芯片堆疊封裝而成，這意味着存儲廠商使用16個新款閃存芯片堆疊，就能在單個封裝中提供4TB。如果能夠實現大批量生產，那麼足以重新定義大容量SSD的成本。

西部數據執行副總裁兼閃存業務總經理Robert Soderbery表示，很高興與大家分享這款芯片，設計的初衷是為了滿足數據中心和人工智能（AI）存儲的需求，西部數據將很快宣佈這款產品，與大家分享世界上容量最大的內存芯片。

根據西部數據的説法，BiCS8 2Tb QLC NAND閃存的密度比起競爭對手高出15~19%，I/O接口速度比競爭對手快了50%，同時每GB數據所需要的程序能效比競爭對手低了13%。西部數據還介紹了製造方法，採用的是CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術，單獨製造每個CMOS晶圓和單元陣列晶圓，然後粘合在一起，有點類似於長江存儲的Xtacking架構。