台積電的5nm工藝去年就已經成功投產，目前還處於產能爬坡階段，而他們的下一步目標就是3nm工藝，根據台積電的計劃，今年就有望進入風險生產階段，而2022年下半年就可實現批量生產。

來自 Digitimes 的報道，台積電CEO魏哲家在近日的財報電話會議上表示，台積電的N3工藝進展良好，與N5和N7的相同階段相比，現在N3在HPC與智能手機應用的客户參與度要高得多。

台積電對N3工藝的資本支出目標定位250到280億美元，遠高於市場觀察家所預計的200到220億美元。魏哲家表示，由於技術的複雜性，台積電的資本支出強度依然很高，在EUV光刻機設備上的投入是資本支出增加的部分原因。但現在更高的支出可換來未來更好的增長，台積電已經把2025年的收入複合增長率目標提高到10%到15%。

在本次電話會議上他還透露，台積電的3D SoIC封裝技術將在2022年投入生產，該技術將首先用於HPC領域，預計這些後端服務的收入將會在未來幾年內以高於公司平均水平的速度增長，其實台積電近幾年都在推廣他們的3DFabric系列封裝，包括CoWoS和InFO 3D堆棧，以及用於3D異構集成的SoIC。

至於被問到台積電的支出增加是否為了滿足Intel的外包需求時，魏哲家表示他們不會對未定下來的客户和訂單發表評論。