今年4月，三星 宣佈 正式量產第9代V-NAND閃存，首批生產的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND閃存芯片，相比上一代產品，單位面積存儲密度提高了約50%，同時功耗降低了10%。三星還引入了新的技術，避免單元干擾並延長單元壽命，同時取消備用通道孔大幅減少了存儲單元的平面面積。

據The Elec 報道 ，三星在第9代V-NAND閃存的生產中，在金屬化工藝過程中使用了鎢，另一種則使用了鉬（Mo）。目前行業內使用鎢來降低層高已達到極限，換成鉬可將層高再降低30%至40%，而且還能降低NAND的延遲。三星決定更多地使用鉬，意味着NAND材料價值鏈將發生一些變化。

與六氟化鎢（WF6）不同，機器需要將含有鉬的原材料加熱到600℃，才能將其從固體轉換為氣體。有業內人士透露，三星已從Lam Research公司引進了5台Mo沉積機，並計劃明年再引進20台設備。三星正在從Entegris和Air Liquide採購鉬，而Merck也向三星提供了樣品。除了三星外，SK海力士、美光和鎧俠也在尋求NAND生產中採用鉬材料。

相比於六氟化鎢，這些含鉬的材料定價是其十倍。除了NAND閃存，鉬材料未來還可能應用於DRAM和邏輯芯片。不少企業都瞄準了這個新市場，正在開發對應的含鉬材料，這也意味着六氟化鎢市場將不可避免地萎縮。