鎧俠（Kioxia） 宣佈 ，推出基於第八代BiCS FLASH 3D閃存技術的BiCS8 FLASH 2Tb QLC（四級單元）閃存，目前已開始送樣。其擁有業界最大的2Tb容量，將存儲器容量提升到一個新的水平，將推動人工智能（AI）在內的多個應用領域的增長。

鎧俠表示，BiCS8 FLASH 2Tb QLC 閃存基於其最新的技術，通過專有工藝和創新架構，實現了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡。鎧俠引入了與西部數據合作開發的CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術，將每個CMOS晶圓和單元陣列晶圓都是在其最優狀態下單獨製造的，然後粘合在一起，提供了增強的位密度和業界領先的NAND I/O接口速度（3.6Gbps）。

相比於第五代BiCS FLASH QLC閃存產品，這次第八代BiCS FLASH 2Tb QLC閃存的位密度提高了約2.3倍，寫入能效比提高了約70%。不僅如此，全新的QLC產品架構可在單個存儲器封裝中堆疊16個芯片，可提供4TB容量，並採用更為緊湊的封裝設計，尺寸僅為11.5 x 13.5 mm，高度為1.5 mm。

除了2Tb QLC閃存外，鎧俠還帶來了性能更強的1Tb QLC閃存。鎧俠稱，1Tb QLC閃存的順序寫入性能在2Tb QLC閃存基礎上再提升了約30%，讀取延遲降低了約15%，更適用於高性能領域，包括客户端SSD和移動設備。