美光 宣佈 使用新型1α製造工藝生產的DRAM開始批量出貨，這是目前世界上最先進的DRAM製造技術。1α製造工藝最初會用於8Gb和16Gb的DDR4和LPDDR4內存生產上，隨着時間的推移，未來將用於所有類型的DRAM，有望顯着降低DRAM成本。

到目前為止，美光已將其DRAM生產的很大一部分轉移到了1Z nm節點，該節點既提供高位密度（較低的單位成本）又提供高性能。美光表示，從利潤率和產品組合角度來説，現在的感覺相當好。美光的1α製造工藝預計將比1Z（成熟的成品率）將內存密度提高40％，這將相應降低生產者的單位成本。

此外，該技術的功耗降低了15％，而且性能更高。美光1α製造工藝其中很重要的一點是，印證了僅靠光刻技術的改進，不足以使DRAM製造成本降低。像上一代產品一樣，美光的1α節點繼續使用6F2位線設計。

與行業內很多企業不同，美光不打算在短期內使用EUV光刻技術來生產存儲芯片。美光接下來的三個DRAM工藝節點將繼續使用深紫外線（DUV）光刻技術，不過會不斷進行評估，時機成熟的時候會適當引入。

即使沒有EUV光刻技術，美光也承諾在下一代存儲設備中提高性能和功耗，儘管難度越來越大。

1α製造工藝首先會在中國台灣的桃園和台中的工廠中使用，最先出貨的是面向超算市場的DDR4內存以及英睿達 (Crucial) 消費級DRAM產品。美光同時也已開始向移動客户提供LPDDR4樣片進行驗證，將在2021年內推出基於該技術的更多新產品。