在8月6日至8日於美國加利福尼亞州聖克拉拉市舉行的“全球閃存峯會2024（Future of Memory and Storage，FMS）”上，SK海力士以“Memory, The Power of AI”為口號參加此次活動，全方位 展示 了其突破性的AI內存技術，另外還有涵蓋DRAM、SSD和CXL等領域的解決方案。隨着AI市場的需求增長，存儲更多數據的高性能、高容量存儲器需求也在急劇增加。

SK海力士在FMS 2024的展台由四部分組成，展示了主題演講和會議演講中提到的眾多產品。展台的一大亮點是12層垂直堆疊的HBM3E樣品，這是SK海力士下一代AI內存解決方案的主力產品，預計2024年第三季度量產。SK海力士還使用其合作伙伴的系統進行了產品演示，突出了與各大科技公司的緊密合作。

SK海力士還展出了具備計算能力的GDDR6-AiM、針對AI應用優化的超低功耗LPDDR5T、基於PCIe 5.0打造的eSSD PS1010、支持尚未發佈的UFS 4.1協議的閃存、可提升數據管理效率的ZUFS 4.0產品、以及下一代內存解決方案CMS 2.0等。

值得注意的是，這次SK海力士首度展出了接口速率達到3.2 Gbps的V9 2Tb QLC NAND閃存，以及3.6 Gbps的V9H 1Tb TLC NAND閃存。目前SK海力士的NAND閃存堆疊層數已達到321層，為業界最高水平。