最近有 報道 稱，三星將於2024年第四季度到2025年第一季度之間開始安裝其首台High-NA EUV光刻機，時間上可能早於台積電（TSMC），主要用於技術研發，將安裝在華城園區，預計2025年中開始使用。三星已決定開發用於邏輯和DRAM芯片的下一代半導體制造工藝，一些技術需要通過High-NA EUV光刻機實現。

據TrendForce 報道 ，三星在存儲器領域的主要競爭對手SK海力士，計劃2026年引入ASML下一代TWINSCAN EXE:5200系統，並增加內部High-NA EUV開發人員的數量。與三星打算將High-NA EUV首先用於晶圓代工業務不同，SK海力士有望用在最先進的DRAM產品上。SK海力士暫時沒有透露具體的計劃內容，比如安裝設備的工廠或者追加投資方向等。

傳聞ASML手上已經收到了十多台High-NA EUV光刻機的訂單，包括英特爾、台積電、三星、SK海力士、以及美光。ASML至今生產了8台TWINSCAN EXE:5000，這是第一代High-NA EUV產品，其中英特爾佔據了最多的數量，近期將迎來第二台High-NA EUV光刻機，而三星則是ASML首批產品的最後一個訂單客户。

由於High-NA EUV光刻機定價較高，有傳言稱達到了3.8億美元，使得半導體製造商在投資上普遍都比較謹慎。