三星在上個月 成立 了新的“HBM開發團隊”，將專注於HBM3、HBM3E和下一代HBM4技術的相關開發工作，以提高三星在HBM市場的競爭力。三星早在2015年就在DRAM部門裏組建了專門負責HBM產品開發的團隊，這次組織架構的改組進一步做了加強，而且似乎很快便在HBM4開發上取得了進展。

據The Elec 報道 ，三星將在年底前流片HBM4，屬於第六代HBM產品，此舉被認為是為2025年底大規模生產奠定基礎。由於從流片到最終確定測試產品之間的時間跨度可能在三到四個月之間，三星的HBM4測試產品預計最早會在明年初發布，之後三星將繼續做改進，直到將樣品發送給主要客户。

三星的HBM4為12層垂直堆疊，打算選擇4nm工藝用於大規模生產HBM4的基礎裸片，並採用1cnm工藝製造DRAM芯片。雖然相比於7/8nm工藝，採用4nm工藝的成本要高得多，但是會帶來更好的芯片性能，同時能耗方面也有更明顯的優勢。三星目前採用10nm工藝生產HBM3E的基礎裸片，在新一代HBM4上換成4nm工藝可以增強其在HBM領域的競爭優勢。

競爭對手SK海力士計劃2025年下半年量產12層垂直堆疊的HBM4，打算採用台積電（TSMC）的N5和N12FFC+工藝製造基礎裸片，DRAM芯片則是在1bnm和1cnm之間做選擇。有消息稱，SK海力士原本更傾向於1bnm工藝，但是隨着三星採用1cnm工藝製造DRAM芯片，內部最後有可能決定追隨三星的做法，換成1cnm工藝。