去年末，三星與ASML 簽署 了一項價值1萬億韓元（約合7.7億美元/人民幣54.9億元）的協議，雙方將在韓國京畿道東灘投資建設半導體芯片研究設施，並在那裏共同努力改進EUV光刻製造技術。同時三星獲得了High-NA EUV光刻設備技術的優先權，有助於確保購入下一代High-NA EUV光刻設備，為其DRAM存儲芯片和邏輯芯片的生產創造出更好的技術使用環境。

據Business Korea 報道 ，三星計劃減少對ASML下一代High-NA EUV光刻機的採購數量，另外與ASML合作的研發中心計劃也很可能陷入僵局。傳聞三星原計劃未來十年內購入三款型號的下一代High-NA EUV光刻設備，包括TWINSCAN EXE:5200/5400/5600，但是現在決定只引入TWINSCAN EXE:5200，未來適當的時候再重新考慮後續版本問題。

這一決定是三星DS（設備解決方案）部門更換新負責人，審查正在進行的項目和投資之後做出的。隨着三星計劃的變更，相關進程已經完全停止，也讓聯合研發中心計劃打上了問號，究竟是更換建造地點還是完全取消項目，三星和ASML還需要進一步討論。

有三星內部人士透露，儘管計劃進行了修訂，但引進High-NA EUV光刻機的計劃沒有變，並確保聯合研發中心建造在合適的位置。