SK海力士 宣佈 ，已成功開發出全球首款採用1cnm（第六代10nm級別）工藝的16Gb DDR5 DRAM，向世界展現了10nm出頭的超微細化存儲工藝技術。SK海力士將在年內完成1cnm DDR5 DRAM的量產準備，從明年開始供應產品，繼續引領半導體存儲器市場的發展。

SK海力士是在基於目前最高性能的1β (b) nm（第五代10nm級別）工藝擴展平台上，以最高效的方法開發出1cnm工藝。SK海力士技術團隊認為，由此不僅可以減少工藝高度化過程中可能發生的嘗試錯誤，還可以最有效地將業界內最高性能DRAM轉移到新工藝。在這個過程中，SK海力士運用了新材料，並針對EUV適用工藝進行了優化，以確保成本競爭力。與此同時，SK海力士在1cnm工藝上也進行了設計技術革新，與前一代1β (b) nm工藝相比，生產率提高了30%以上。

這次1cnm DDR5 DRAM將主要用於高性能數據中心，運行速率為8Gbps，與前一代相比速度提高了11%，另外能效也提高了9%以上。隨着AI時代的到來，數據中心的耗電量在繼續增加，SK海力士稱改用1cnm DDR5 DRAM後，可以為數據中心節省30%以上的電費。

SK海力士表示，新的1cnm工藝技術兼備着最高性能和成本競爭力，計劃應用於新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進DRAM主力產品羣，由此為客户提供差別化的價值。