三星1βnm LPDDR產品良品率不佳,或打亂Galaxy S25系列生產計劃

三星在今年4月公佈2024年第一季度財報時, 提及 第二季度內量產基於1β (b) nm(第五代10nm級別)32Gb DDR5打造的128GB DRAM產品,比原計劃裏的下半年提前了幾個月。按照三星的説法,這是為了更好地應對生成式AI日益增長的需求,接下來還會積極推進1β (b) nm LPDDR產品的生產工作,主要針對下一代Galaxy S25系列智能手機。

據TrendForce 報道 ,三星電子的MX部門在上個月向DS部門表達了對用於Galaxy S25系列的1β (b) nm LPDDR樣品交付延誤的擔憂。這些樣品包括了12Gb和16Gb容量,但是由於良品率不佳,無法提供必要的數量。

據瞭解,通常需要80%以上的良品率,才能提供穩定且具有成本效益的大規模生產和供應。雖然暫時還不清楚三星目前1β (b) nm LPDDR產品的良品率,但很可能遠低於80%的目標,這促使MX部門重新評估時間表和DRAM採購計劃,以免影響到新機型的生產和發佈。

Galaxy S25系列所面臨的問題不僅僅來自DRAM, 傳聞 三星很可能放棄Galaxy S24系列雙平台戰略,選擇讓高通第四代驍龍8獨佔,原因也是良品率。Exynos 2500採用了三星第二代3nm工藝技術,也就是SF3(3GAP),過去幾個月裏三星已盡了最大的努力,可是情況似乎沒有什麼改善,良品率仍然“低於預期”。

儘管採用1β (b) nm工藝在生產上似乎遇到一些問題,但三星仍然打算在年底前流片HBM4,並選擇更先進的1cnm工藝(第六代10nm級別)製造,甚至為此加大 投資 ,擴大生產線。