今年4月，SK海力士 宣佈 與台積電（TSMC）簽署了諒解備忘錄（MOU），雙方就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術密切合作。SK海力士計劃與台積電合作開發第六代HBM產品，也就是HBM4。台積電將 生產 用於HBM4的基礎裸片（Base Die），採用N5和N12FFC+工藝，這是雙方針對搭載於HBM封裝內最底層的基礎裸片優化工作的一部分。

據TrendForce 報道 ，台積電宣佈與三星達成協議，共同開發HBM4，這將是雙方首次在人工智能（AI）芯片領域展開合作。也就是説，三星與SK海力士一樣，在HBM4時代做出了類似的選擇。三星曾表示，為了在HBM領域取得進展，正在與各個代工廠合作，準備了20多種定製解決方案。

據瞭解，台積電與三星合作的是“無緩衝HBM4”，屬於HBM4的一種特殊版本，取消了用於分配電壓和防止電氣問題的緩衝器。與現有型號相比，這一設計預計將提高40%的功率效率，減少10%的延遲。與之前的HBM產品不同，充當HBM大腦的邏輯芯片可以由其他代工廠生產，而不再侷限於存儲器製造商。

雖然三星可以提供包括存儲器生產、芯片代工、以及先進封裝在內的全方位服務，滿足客户在HBM4上的相關服務，但是通過與台積電的合作，可以利用對方的技術吸引更多客户。傳聞三星還有另外一層考慮因素，就是整合英偉達和谷歌等大客户的定製要求。

按照三星的計劃，將在年底前流片HBM4，為2025年底大規模生產奠定基礎。三星的HBM4為12層垂直堆疊，打算選擇4nm工藝用於大規模生產HBM4的基礎裸片，並採用1cnm工藝製造DRAM芯片。