美光 宣佈 ，推出12層垂直堆疊的HBM3E，擁有36GB容量，面向用於人工智能（AI）和高性能計算（HPC）工作負載，比如英偉達H200與B100/B200 GPU產品。美光表示，相比於年初量產的8層垂直堆疊的HBM3E，在給定的堆棧高度下，新產品無論堆疊層數還是容量都增加了50%，滿足了更大的AI模型運行的需求，避免了多處理器運行帶來的延遲問題。

美光提供的HBM3E產品擁有16個獨立的高頻數據通道，採用了1β（1-beta）工藝打造，封裝規格為11mm x 11mm，堆疊12層的24Gb裸片，提供了36GB容量，帶寬超過1.2TB/s、引腳速度超過9.2GB/s。美光將硅通孔（TSV）增加了一倍，封裝互連縮小了25%，功耗比起競品降低了30%。美光憑藉先進CMOS技術創新，結合先進的封裝技術，提供了改善熱阻抗的結構解決方案，有助於改善立方體的整體散熱表現，加上大幅度降低的功耗，為客户提供了功耗更低、散熱效率更高的HBM3E產品。

台積電生態系統和聯盟管理負責人Dan Kochpatcharin表示：“台積電和美光一直保持着長期的戰略合作伙伴關係。作為OIP生態系統的一部分，我們密切合作，讓美光基於HBM3E的系統和CoWoS封裝設計能夠支持客户的人工智能創新。”

目前美光正在向主要行業合作伙伴運送量產型的12層垂直堆疊HBM3E，用於整個人工智能生態系統的測試，以便獲得相關的資格認證。與此同時，美光已經在開發下一代的解決方案，包括HBM4和HBM4E，繼續突破DRAM性能界限，確保美光的產品可以滿足AI芯片對日益增長的內存性能需求，以保持行業領先地位。