SK海力士CEO李錫熙今日在IEEE國際可靠性物理研討會（IRPS）上作了主題演講，講述了SK海力士產品的未來計劃，分享了一些概念性技術，比如用EUV光刻生產的DRAM和600層堆疊的3D NAND。

目前為止SK海力士最新的3D NAND是512Gb 176層堆疊的3D NAND，看起來600層還很遙遠，目前他們還只是在研究這種可能性，在達到600層堆疊前還需要解決各種問題。SK海力士致力於確蝕刻技術實現高縱橫比，以實現業界所需的高密度技術，此外他們還推出了原子層沉積技術，以進一步改善單元的電荷存儲性能，並在需要時把電荷放出，同時開發新的導電材料讓電荷在一定程度上保持均勻。除此之外為了解決薄膜應力問題，控制了薄膜的機械應力水平，並優化了單元氧化氮材料。為了應對在有限的高度上堆疊更多電池時發生的電池間干擾現象和電荷損失，SK Hynix開發了隔離電荷陷阱氮化物結構來增強可靠性。為了對應在有限高度內堆疊多層時發生的單元間電荷干擾與電荷損失，SK海力士開發了隔離電荷陷阱氧化物結構，以提高可靠性。

在DRAM方面，SK海力士引入了EUV光刻設備來解決以往DUV光刻的侷限性，製程工藝能輕鬆達到10nm以下，以此來提升生產效率。當然還有問題要解決的，比如為了保持單元電容，他們正試圖改善電介質厚度，開發具有高介電常數的新材料，並採用新的單元結構。這些單元互連需要儘可能低的電阻，他們正在尋找新一代電極與絕緣材料，並推出新工藝。