據 TechPowerup報道 ，三星宣佈推出業界首款單條容量512GB的DDR5內存模組，採用了High-K Metal Gate（HKMG）的DDR5內存顆粒，以降低漏電率。新的DIMM是為下一代使用DDR5內存的服務器設計的，包括使用AMD代號Genoa的Epyc系列處理器和英特爾代號Sapphire Rapids的Xeon系列處理器的服務器。
三星利用TSV硅穿孔技術實現8層堆疊，以確保低功耗和高質量的信號傳輸，單顆DRAM芯片容量為16Gb， 512GB的DDR5內存模組總共需要32顆。新的DDR5內存的性能比DDR4內存提高了一倍，最高可達7200Mbps的傳輸速率，可以滿足超算、AI和機器學習等領域的計算要求。
這不是三星第一次使用HKMG工藝，早在2018年就開始應用在GDDR6顯存上，所以這款DDR5內存的數據傳輸速率應該不低。三星表示由於DDR5電壓降低、HKMG的應用和其他改進的幫助下，其功耗比前一代產品降低了13%。三星電子DRAM部門副總裁Young-Soo Sohn表示：
“三星是目前唯一一家能夠使用HKMG製造內存芯片的半導體廠商。通過將這種創新工藝引入到DRAM製造，我們可以為客户提供高性能、高能效的內存解決方案，為醫學研究、金融市場、自動駕駛、智慧城市以及其他領域所需的應用提供動力。”
如果服務器處理器的內存配置為八通道，且每通道有兩個插槽，三星的512GB DDR5內存模組可以使每個處理器配備8TB的內存。三星表示已經開始和服務器領域的合作伙伴進行測試，預計下一代服務器處理器上市的時候，也會隨之得到認證。