最近一段時間全球半導體產能緊張，讓不少行業巨頭紛紛加大投資，以應對未來幾年市場的高需求。近日，韓國政府批准了SK海力士新廠區的興建計劃。

據ComputerBase 報道 ，SK海力士的新廠區位於首都首爾以南50公里的龍仁市，整個項目的總投資額將達到1060億美元，面積約為4.15萬平方米。與SK海力士的投資相比，英特爾之前計劃投資約200億美元，在美國亞利桑那州的Octillo園區新建兩座晶圓廠的計劃顯得有點微不足道了。

SK海力士計劃新廠區在今年第四季度破土動工，於2025年完成所有工程項目，並開始進行批量生產。整個廠區將由四個晶圓廠組成，每個月的晶圓產量約為80萬片。這些晶圓廠將負責生產常規的DRAM芯片，以及採用下一代DRAM技術的芯片。

SK海力士的下一代DRAM技術就是前一段時間，IEEE國際可靠性物理研討會（IRPS）上，SK海力士CEO李錫熙介紹的600層堆疊的3D NAND，以及使用EUV光刻技術生產的DRAM。目前為止，SK海力士最新的3D NAND是512Gb 176層堆疊的3D NAND，在實現正式批量生產前，還有不少問題需要解決。引入了EUV光刻設備，主要是解決以往DUV光刻的侷限性，能使用10nm或更先進工藝來製造DRAM。

作為韓國僅次於三星的第二大NAND閃存製造企業，SK海力士希望通過這項工程加強其在業界的地位，並緩解當前半導體產能的短缺，以及應付未來全球對存儲產品的需求持續增長。