此前有 報道 稱，三星選擇在其平澤P4工廠建設1cnm工藝的DRAM生產線，並向合作伙伴訂購了設備，預計2025年第一季度開始進行安裝，為HBM4的生產鋪平道路。1cnm屬於第六代10nm級別工藝，電路線寬約為11-12nm，領先於現有第五代10nm級別的1bnm（電路線寬約為12-13nm），三星目標是在2025年6月開始量產。

據TrendForce 報道 ，自2024年下半年以來，三星就在重新調整1cnm DRAM的設計，原因也是老生常談的問題，就是良品率。三星的1cnm DRAM自開發以來一直存在良品率問題，2024年末的試產並沒有達到預期的效果，而大規模生產準備階段的良品率通常在60%至70%左右。

三星的新方法側重於保持核心電路線寬的緊湊，並放寬外圍的電路線寬，從而提高良品率，以確保HBM這類高價值存儲器可以穩定量產，預計今年5月到6月之間會看到效果的顯著提升。三星希望能夠儘快完成調整，畢竟競爭對手SK海力士最快2025年2月開始量產1cnm DRAM芯片，將成為全球首家運用1cnm工藝生產DRAM芯片的存儲器供應商。

此外，中國存儲器製造商的快速發展也給三星帶來了壓力，傳聞長鑫存儲（CXMT）開始使用D1z工藝（16nm）大規模生產DRAM芯片。