據TomsHardware 報道 ，TechInsights和SemiWiki在IEDM 2025上公佈了Intel 18A和TSMC N2製程技術的關鍵細節。根據TechInsights的説法，英特爾的新工藝可以提供更好的性能，而台積電則有着更高的晶體管密度。

TechInsights的分析師認為，N2的高密度標準單元晶體管密度為313 MTr/mm²，遠高於Intel 18A（238 MTr/mm²），也高於三星的SF2/SF3P（231 MTr/mm²）。需要注意的是，這裏只是按照標準單元晶體管的統計，而在實際應用中，不同產品也會使用不同的晶體管單元，包括高密度（HD）、高性能（HP）和低功耗（LP），何況像台積電還有FinFlex和NanoFlex這樣的功能。

在性能方面，TechInsights表示Intel 18A領先於N2和SF2（以往稱為SF3P）。不過TechInsights採用的方法也引起了一些爭議，因為是以過去台積電的N16FF和三星的14nm製程技術作為基準，這種預估方式可能不完全準確。

由於Intel 18A是英特爾針對高性能處理器而設計的，因此可以根據性能和功率效率進行定製。英特爾還在Intel 18A引入了PowerVia背部供電技術，大大提升了晶體管密度和性能，N2沒有類似的設計，要等到A16才會加入超級電軌（Super Power Rail）架構。當然，支持PowerVia不代表採用Intel 18A工藝一定會使用，所以具體到每一款芯片情況會不一樣。

至於功耗方面，TechInsights稱N2比起SF2更省電，近年來台積電在能耗方面一直處於領先地位。英特爾還有待觀察，應該也不錯。