近日西部數據舉行了公司的投資者日， 宣佈 了未來的願景和戰略，NAND閃存業務的剝離計劃預計將於2025年2月21日完成。未來西部數據SSD產品線將轉向SanDisk（閃迪），後者也簡單地介紹了今年即將推出的新款SSD產品和技術，特別是高帶寬閃存HBF，令人耳目一新。

據TrendForce 報道 ，SanDisk和鎧俠（Kioxia）組成的NAND閃存合資企業佔據了2024年第三季度全球NAND閃存位產量的三分之一，不同的是，鎧俠的目標是在2025年提高218層NAND閃存的產量，而SanDisk仍然在優化112/162層NAND閃存的生產，以實現收入最大化。SanDisk正在推進BiCS9 FLASH 3D閃存技術，率先會帶來1Tb TLC芯片，將超過300層。

SanDisk表示，2025年將推出三款SSD，均採用了218層的BiCS8 FLASH 3D閃存技術。首先是基於QLC的PC SN5100S，採用PCIe 4.0×4接口，提供了512GB、1TB和2TB三種容量，可選M.2 2230外形規格；其次是基於TLC的PCIe 5.0 SSD，連續讀寫速度可達14500 MB/s和14000 MB/s，M.2 2280外形規格，提供了512GB、1TB、2TB和4TB四種容量，功耗保持在7W的水平，預計2025年第二季度出貨；最後是面向數據中心市場的DC SN670，搭載了SanDisk獨有的UltraQLC技術，支持PCIe 5.0標準，提供了122.88TB和61.44TB兩種容量。

高帶寬閃存HBF是SanDisk經過帶寬優化的NAND產品，設計思路類似於HBM，以大量I/O引腳和多層堆疊結合，相當於高帶寬NAND閃存。事實上，HBF與HBM共享了電氣接口，帶寬也相接近，不過適配的介質從DRAM切換至NAND，協議略有變化，所以不完全兼容。

SanDisk透露，HBF實現了8層到16層堆疊，可以部分替換HBM，通過邏輯芯片和中介層連接到GPU/CPU/TPU，能夠提供HBF+HBM的自定義組合產品。SanDisk的想法已經得到了業界的關注，如果未來三星、SK海力士和美光能夠支持，有可能演變稱接近存儲級的內存。