朗科 宣佈 ，近日首批DDR5 DRAM內存顆粒已抵達朗科研發總部，朗科正式進入DDR5內存研發階段。

朗科表示，此批到達的顆粒為Micron DDR5 ES，IC編號為Z9ZSB，根據Micron官網查詢為ES樣品，顆粒容量為2Gx8，工作時序為40-40-40。顆粒基於1znm工藝製造，尺寸為11x9mm。朗科表示，將結合內存性能的過往發展、研發路程以及對玩家速度的追求，計劃研發可達10000MHz以上的DDR5內存產品，這幾乎是目前最快的DDR4內存的一倍。目前最快的DDR4內存是近期十銓推出的T-FORCE XTREEM，擁有DDR4 5600 16GB（8GBx2）的超高頻率規格。

據瞭解，十銓在DDR5上也在研發高頻率規格，通過對DDR5模塊上對電源管理的修改，在沒有主板支持的情況下處理電壓轉換，實現在2.6V以上的電壓下運行。十銓表示不但可以減少電壓損耗和降低噪音，還能為內存超頻提供了更多的空間，並已經向華碩、技嘉、微星和華擎提供了樣品，通過與主板廠商協作測試以進一步發掘DDR5內存的超頻性能。而三星一直致力於使用HKMG以提高DDR5內存的頻率，曾表示頻率已達到了7200MHz。不知道朗科會通過什麼樣的技術，去實現10000MHz以上的DDR5內存產品。

朗科自2018年進入內存行業，目前已經推出新款電競及國產化內存產品，預計在今年6月推出DDR4電競RGB燈條。無論英特爾還是AMD，使用DDR5內存的消費級平台還沒到來，但內存廠商在DDR5內存上的戰鬥已經打響了。此前國內另一家內存製造商江波龍電子，就曾展示過頻率達到了6400MHz的DDR5內存模組產品。