最近英特爾在ISSCC 2025上， 介紹 了備受期待的Intel 18A工藝技術，其中強調了SRAM密度的重大改進。按照英特爾的説法，SRAM位單元尺寸將從Intel 3工藝的0.03μm²縮小到Intel 18A工藝的0.023μm²，HDC也顯示出類似的改進，縮小到0.021µm²。相比之下，台積電（TSMC）N5、N3B和N2工藝的SRAM位單元大小分別為0.021µm²、0.0199μm²和0.0175μm²。

近日英特爾官網 更新 了Intel 18A工藝的信息，併發布了一條消息：“Intel 18A現已經為客户項目做好準備，將於2025年上半年開始流片，如果想要了解更多信息，請聯繫我們。”

在英特爾看來，Intel 18A工藝將是其先進半導體工藝研發的轉折點。除了SRAM密度可以趕上台積電，每瓦性能提高15%，芯片密度比至強6系列處理器採用的Intel 3工藝提高了30%。同時英特爾結合了GAA晶體管架構，另外還引入了PowerVia背部供電技術，這是英特爾解決處理器邏輯區域電壓下降和干擾的首選方法。

目前已知英特爾在Intel 18A工藝的主要產品有Panther Lake（AI PC客户端處理器）和Clearwater Forest（服務器處理器），外部代工客户有亞馬遜AWS和微軟Azure，英特爾將為客户製造內部定製芯片。此外，博通正在探索基於Intel 18A工藝的設計。