美光（Micron） 宣佈 ，已率先向生態系統合作伙伴及特定客户出貨專為下一代CPU設計的第六代10nm級別1γ（1-gamma）DRAM節點DDR5內存樣品。得益於美光之前在1α（1-alpha）和1β（1-beta）DRAM節點的領先優勢，1γ DRAM節點的這一新里程碑將推動從雲端、工業、消費應用到端側AI設備（如AI PC、智能手機和汽車）等未來計算平台的創新發展。

得益於CMOS技術的進步，包括下一代高K金屬柵極技術，提升了晶體管性能，實現了更高的速率、更優化的設計和更小的特徵尺寸，為1γ DRAM節點帶來功耗降低和性能擴展的雙重優勢。美光還加入了EUV光刻技術，利用極短波長在硅晶圓上刻畫出更精細的特徵，從而獲得了業界領先的容量密度優勢。此外，美光通過在全球各製造基地開發1γ DRAM節點，為行業提供更先進的技術和更強的供應韌性。

• 提升性能 - 能夠支持從數據中心到端側設備的多種內存產品實現計算擴展，滿足未來AI工作負載的需求。

• 降低功耗 - 採用下一代高K金屬柵極CMOS技術，結合設計優化，帶來了更好的散熱表現。

• 提升容量密度產出 - 採用EUV光刻技術，通過設計優化和製程創新，使單片晶圓的容量密度產出較上一代提升30%以上，從而實現更高效的內存供應擴展能力。

美光1γ DRAM節點將首先應用於其16Gb DDR5 DRAM產品，並計劃逐步整合至內存產品組合中，以滿足AI產業對高性能、高能效內存解決方案日益增長的需求。該款16Gb DDR5產品的數據傳輸速率可達9200MT/s，與前代產品相比，速率提升高達15%，功耗降低超過20%。