近日，有網友 發現 在一篇介紹SK海力士進軍高能效移動DRAM的報告裏，提及了SK海力士正在開發LPDDR5M。相比於SK海力士之前的LPDDR5T，LPDDR5M的速率同樣是9.6Gbps，但是工作電壓更低，從1.01至1.12V降至0.98V，能效提高了8%。

無論是LPDDR5T還是LPDDR5M，本質上仍然是LPDDR5X，在原有JEDEC規範基礎上進行了一些擴展，以進一步提升性能。預計LPDDR5M會出現在具有設備端AI功能的智能手機中，以便本地運行密集型操作時消耗更少的電量，滿足設備製造商的需求。有分析師認為，SK海力士最快會在年內推出LPDDR5M。

與此同時，SK海力士並沒有放慢HBM產品的開發速度，現在已來到一個關鍵的節點。有媒體 表示 ，SK海力士已經對12層堆疊的HBM4進行了試產，良品率從去年末的60%提升到70%。HBM4進展如此順利，主要原因是採用了1β (b) nm（第五代10nm級別）工藝製造DRAM芯片，性能和穩定性已經得到驗證，相同的製程節點也將用於製造HBM3E產品。

SK海力士計劃最早於2025年6月向英偉達運送HBM4樣品，以滿足Rubin架構產品的需求。SK海力士目標下半年推出首批12層堆疊的HBM4產品，預計2025年第三季度開始進入全面供應階段。隨着良品率的穩步提升，SK海力士的計劃看來是可行的。