【明報專訊】香港微電子研發院（MRDI）將專注第三代半導體研發。所謂第三代半導體，是基於碳化矽或氮化鎵材料研發的晶片，現處於早期發展階段，特性是耐高電壓、高溫，可用於新能源汽車、再生能源、家電及冷氣節能等用途。以材料分，第一代半導體以矽製晶片，多用於電腦及電子產品的記憶體等；第二代以砷化鎵製晶片，多用於移動裝置的射頻通訊等。三類晶片各有應用範疇。