傳SK海力士與英偉達達成協議:獨家供應Blackwell Ultra使用的12層HBM3E

英偉達將於2025年3月17至21日在美國加利福利亞州聖何塞舉辦GTC 2025活動,創始人兼首席執行官黃仁勳將登台亮相,在北京時間3月19日凌晨1點舉行主題演講。在這次GTC 2025活動上,預計英偉達將推出基於Blackwell Ultra架構的GB300。

據TrendForce 報道 ,SK海力士已經與英偉達達成了協議,將獨家供應Blackwell Ultra使用的12層堆疊HBM3E,預計會進一步鞏固其在HBM領域的領導地位。同時SK海力士也在英偉達下一代Rubin架構GPU的HBM4供應上處於領先位置,傳聞2025年6月之前將出貨HBM4樣品,預計第三季度就能開始量產。

雖然最新 消息 稱,三星的8/12層堆疊HBM3E有可能在2025年5月底至6月初獲得英偉達的認證,並有望在2025年上半年內量產HBM3E。不過比起SK海力士,三星還是要落後太多。SK海力士早在2024年3月就量產了8層堆疊HBM3E,同年9月又量產了12層堆疊HBM3E。

SK海力士的12層堆疊HBM3E採用了12顆3GB DRAM芯片,與現有8層產品相同厚度下,容量提升50%,實現了現有HBM產品中最大的36GB容量。為了實現此目標,SK海力士將單個DRAM芯片製造得比以前薄40%,並採用硅通孔技術(TSV)技術垂直堆疊。SK海力士還解決了將變薄的芯片堆疊更多時產生的結構性問題,將MR-MUF工藝應用到新產品中,放熱性能較上前一代提升了10%,並增強了控制翹曲問題,從而確保了穩定性和可靠性。

外界估計,GB300將是英偉達在GTC 2025上的亮點,其邏輯結構與GB200相似,共有8個12層堆疊的HBM3E模塊,容量達到288GB。