SK海力士 宣佈 ，推出面向AI的超高性能DRAM新產品12層HBM4，並且全球首次向主要客户提供了其樣品。12層HBM4兼具了AI存儲器必備的最高速率，同時也實現了12層堆疊HBM的最大容量，為了滿足客户的要求，SK海力士不斷克服技術侷限，成為了AI生態創新的領先者。

SK海力士表示：“以引領HBM市場的技術競爭力和生產經驗為基礎，能夠比原計劃提早實現12層HBM4的樣品出貨，並已開始與客户的驗證流程。公司將在下半年完成量產準備，由此鞏固在面向AI的新一代存儲器市場領導地位。”

在12層HBM4上，SK海力士採用了在HBM3E獲得認可的Advanced MR-MUF工藝，從而在現有12層堆疊上達到了最大36GB容量。該工藝不但能控制芯片的翹曲現象，還有效提升了散熱性能，由此最大程度地提高了產品的穩定性。SK海力士還以業界最大規模的HBM供應經驗為基礎，對性能進行驗證，並做好量產準備工作。

SK海力士從2022年的HBM3開始，逐漸在HBM細分市場領跑。SK海力士在2024年陸續實現了8層和12層HBM3E產品的量產，並通過開發和供應上的精準把控，維持了面向AI的存儲器市場領導力。HBM4屬於第六代HBM產品，如無意外，英偉達將是SK海力士的首個客户，用於明年的Rubin架構數據中心GPU上。

去年4月，SK海力士與台積電（TSMC）簽署了諒解備忘錄（MOU），雙方就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術密切合作。其中台積電負責生產用於HBM4的基礎裸片（Base Die），採用N5和N12FFC+工藝。不過也有 消息 稱，SK海力士可能改變計劃，以3nm生產更先進的HBM4基礎裸片。