三星在2022年6月末量產了3nm工藝，採用了全新的GAA（Gate-All-Around）晶體管架構，這也是該技術的首次實際應用，取代自2011年推出FinFET晶體管架構。台積電（TSMC）在3nm製程節點上並沒有像三星那樣引入GAA晶體管架構，要等到新一代2nm製程節點才引入。英特爾也將在即將到來的Intel 18A中，引入類似設計的RibbonFET晶體管架構。

據EE Times 報道 ，最近英偉達創始人兼首席執行官黃仁勳在GTC 2025與媒體互動的問答環節中表示，依賴於GAA晶體管架構的下一代半導體制程技術會為芯片帶來20%的性能提升，而更大的性能提升來自於GPU架構和軟件的創新設計。

黃仁勳強調摩爾定律放緩，新一代製造工藝只會帶來20%左右的改進，雖然先進製程技術受到了歡迎，但是不再具有變革性，其他因素變得更加重要，大家需要接受這一點。現在數據中心越來越關注每瓦性能，這與近年來出現的“我們處於物理極限”這個話題無關。

該討論是現場有人提問英偉達未來是否會選擇三星代工時出現的，而黃仁勳回答時沒有説明參照的具體工藝甚至代工廠。按照過去台積電的説法，相比3nm工藝，初代2nm工藝會帶來10%到15%的性能提升，或者將功耗降低25%到30%。