本月初，台積電（TSMC） 宣佈 有意增加1000億美元投資於美國先進半導體制造。此前台積電已投資了650億美元在亞利桑那州鳳凰城建造先進半導體設施，以此為基礎，預計投資總額將達到1650億美元。該項擴大投資計劃包括了三座新建晶圓廠、兩座先進封裝設施、以及一間主要的研發團隊中心，這將是美國歷史上最大規模的單項外國直接投資。

據相關媒體 報道 ，台積電在美國亞利桑那州的晶圓廠名為Fab 21，前後花了大概五年時間才完成一期工程，也就是第一間晶圓廠，比起在中國台灣所需要的時間（一般兩年）要長得多。不過隨着項目的推進，台積電在當地的設施建造速度變得更快。有台積電高管透露，經過痛苦的學習曲線，現在終於知道可以與當地哪些建築承包商合作建造新廠房，第三座晶圓廠計劃今年內開建。

Fab 21的二期工程預計在2026年某個時間點開始試產，採用3nm工藝（N3B、N3E、N3P和N3X等），並於2028年實現大規模生產。第三座晶圓廠如果能加快建造速度，那麼2028年就能進入試產階段，然後在2029年開始批量生產。不過這裏還有一個問題，即便台積電能加快施工，但是不一定能按時獲得所需的半導體工具，畢竟像ASML這樣的設備供應商有着數十億美元的積壓訂單。

台積電在亞利桑那州的晶圓廠佔地1100英畝，目前聘有3000多名員工，首座晶圓廠於2024年末開始量產。除了鳳凰城的新據點外，台積電還在華盛頓州卡默斯設有一座晶圓廠，在德克薩斯州奧斯汀和加利福利亞州聖何塞建有設計服務中心。